9月26日，韩国存储芯片大厂SK海力士文书，最初业界运行量产12层堆叠的HBM3E內存，罢了了现存HBM居品中最大36GB容量的认识。

SK海力士暗意，高带宽內存（HBM）是一种高附加值、高性能的內存。与现存的DRAM居品比较，通过垂直互联多个DRAM芯片，使数据处理速率显耀提高。该居品按照HBM第1代（HBM）-第2代（HBM2）-第3代（HBM2E）-第4代（HBM3）-第5代（HBM3E）的法规开发，HBM3E是HBM3的推广版。

SK海力士指出，现存的HBM3E最大容量为24GB，由8颗3GB DRAM芯片垂直堆叠而成，公司将在2024年底前向客户提供商量居品，这是继2024年3月在业界最初向客户供应8层堆叠HBM3E內存之后，仅时隔6个月再次展现出其压倒性的本领实力。

SK海力士强调，自2013年专家初次推出第一代HBM（HBM1）內存，到先前推出第五代HBM（HBM3E）之后，公司是唯逐个家开发完成，并能向市集供应全系列HBM居品的企业。SK海力士最初得胜量产12层堆叠的居品，在针对AI的內存所需要的速率、容量、慎重性等通盘方面王人已达到专家最高水准，贵金属投资不仅得志了AI企业日益发展的需求，同期也进一步巩固了SK海力士在针对AI的內存市集的带领者地位。

SK海力士进一步指出，该新址品的运行速率提高至现存內存的最高速率9.6Gbps，其是在以搭载四个HBM的单个GPU运行大型说话模子（LLM）Llama 3 70B时，每秒可读取35次700亿个举座参数的水准。而堆叠12颗3GB DRAM芯片，罢了与现存的8层堆叠居品交流的厚度，同期容量普及50%。为此，SK海力士还将单个DRAM芯片制造得比昔日薄40%，并经受硅通孔本领（TSV）本领垂直堆叠。

此外，SK海力士也处理了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。公司将其中枢本领先进MR-MUF本领诓骗到这次居品中，放热性能较向前一代普及了10%，并增强了限制翘曲问题，从而确保了慎重性和可靠性。

SK海力士AI Infra业务社长金柱善暗意，“咱们再次防碍了本领壁垒，评释了咱们在面向AI的內存市齐集唯一无二的主导地位。为了接待AI时期的挑战，咱们将稳步准备下一代內存居品，以巩固专家顶级针对AI的內存供应商的地位。”

剪辑：芯智讯-林子

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